Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=СВЕЖЕНЦ$<.>+<.>A=АНАТОЛ$<.>+<.>A=ИВАНОВИЧ$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Свеженцова К.В. Особливості формування та властивості нанокристалічного кремнію, сформованого методом хімічного травлення: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / К.В. Свеженцова ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2006. — 17 с. — укp.Розроблено метод формування тонких однорідних плівок nc-Si великої площі. З метою визначення можливостей використання даних плівок в сонячних елементах та газових сенсорах проведено комплексне дослідження їх властивостей. Визначено ефективність та напрямки практичного застосування нового методу утворення однорідних плівок nc-Si. Проаналізовано механізм формування nc-Si за хімічного травлення. Встановлено, що даний процес складається з двох етапів і проявляється не лише у зміні структури поверхні вихідних підкладок, але і в зміні елементного складу плівок nc-Si. Показано, що смуга люмінесценції зразків nc-Si, одержаних хімічним травленням, є суперпозицією двох смуг, одна з яких обумовлена рекомбінацією екситонів у кремнієвих нанокластерах, а інша - рекомбінацією носіїв через поверхневі дефекти. Виявлено два процеси деградації характеристик nc-Si під дією ультрафіолетового опромінення: необоротний, який призводить до зміни коефіцієнту відбивання та пов'язаний з фотостимульованим окисненням поруватого шару, та оборотний, наслідком якого є зменшення інтенсивності фотолюмінесценції. Запропоновано модель, що пояснює деградацію фотолюмінесценції nc-Si тунелюванням носіїв, генерованих у кремнієвих кластерах, на пастки в їх окисній оболонці. Експериментально підтверджено ефективність використання nc-Si для покращення характеристик моно- та мультикристалічних кремнієвих сонячних елементів і газових сенсорів. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + З852.6 + Шифр НБУВ: РА346930
Рубрики:
|
| | | | |
2. |
Свеженцев О.Є. Поширення та збудження хвиль у відкритих хвилеводах і циліндричних мікросмужкових антенах: автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.03 / О.Є. Свеженцев ; Ін-т радіофізики та електрон. ім. О.Я.Усикова. — Х., 2010. — 32 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: З845.7 Шифр НБУВ: РА375169 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
| | | | |
3. |
Анатольєва О.І. Правове регулювання боротьби з безпритульністю, бездоглядністю та правопорушеннями неповнолітніх в УСРР у 20-х роках ХХ століття: Автореф. дис... канд. юрид. наук: 12.00.01 / О.І. Анатольєва ; Нац. акад. внутр. справ України. — К., 2003. — 20 с. — укp.Досліджено процес становлення та правове регулювання діяльності системи державних органів і громадських організацій, уповноважених вести боротьбу з безпритульністю, бездоглядністю та правопорушеннями неповнолітніх. Охарактеризовано головні напрямки профілактики даних негативних явищ серед неповнолітніх за допомогою захисту їх прав у різних сферах життя. Акцентовано увагу на систематизації досвіду роботи з дітьми, які вже вели безпритульний спосіб життя, залишилися без нагляду дорослих, вчиняли правопорушення. Проаналізовано правові засади політики тодішнього уряду стосовно боротьби з правопорушеннями неповнолітніх виховними методами. Запропоновано рекомендації щодо удосконалення правового регулювання боротьби з безпритульністю, бездоглядністю та правопорушеннями неповнолітніх на сучасному етапі розвитку України. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: Х2(4УКР)61-628.3 + Х883.9(4УКР)52-1 + Х628.329(2УК)32 + Шифр НБУВ: РА323549
Рубрики:
Географічні рубрики:
|
|
|