Досліджено деградацію контактно-металізаційної системи на початкових стадіях формування бар'єра Шотткі. Обгрунтовано можливості надійного прогнозування зміни електронних параметрів потенціального бар'єра для межі сформованого поділу. Із використанням резерфордівського зворотного розсіювання, електронної мікроскопії та ренгтеноструктурного аналізу вперше визначено ряд важливих закономірностей досліджуваних систем на поверхні арсеніду галію. Описано схеми устаткування та режими експлуатації установки спектроскопії зоворотнього резерфордівського розсіяння. Досліджено окремі системи металізації, які відрізняються типом антидифузійних шарів - чистих металів, силіцидів і боридів зі збереженням ідентичних технологічних умов формування контакту в цілому. Проаналізовано експериментальні дані у межах моделей деградації, використаних у науковому дослідженні. Обгрунтовано шляхи оптимізації застосування полікристалічних шарів як стабілізувальних факторів контактно-металізаційної системи.

  Завантажити