Досліджено вплив меж поділу середовищ на властивості електронів, дірок і екситонів квазіодновимірних і квазінульвимірних напівпровідникових структур. У межах моделі Кроніга - Пенні з delta-потенціалами проаналізовано коефіцієнт відбиття для квазіодновимірного тришарового нанодроту з перехідним шаром біля меж поділу, розміри якого є параметрами задачі. З використанням методу S-матриці розсіяння визначено енергію зв'язаних станів квазічастинки для складного нанодроту з квантовою ямою (типу AlAs / GaAs / AlAs) як функцію розмірів перехідної області і розмірів другого середовища. Для одновимірної надгратки квантової точки (КТ) сферичної форми у наближенні сильного зв'язку з урахуванням скінченного розриву енергетичних зон одержано закон дисперсії електрона та залежність ефективної маси від радіуса КТ. Досліджено залежність густини станів електрона та дірки від енергії та хімічного потенціалу та концентрації носіїв струму від температури у випадку наявності в гетеросистемі домішок n-типу одного сорту. З використанням теорії груп і симетричного аналізу досліджено вплив симетрії форми КТ на розщеплення енергетичних рівнів зарядів для випадків, коли спін частинки дорівнює нулю та коли спін відмінний від нуля (s = 1/2). Проведено порівняльний аналіз результатів, одержаних за допомогою теорії груп і теорії збурень для КТ кубічної, гексагональної та тетраедральної форм. Досліджено залежності енергії діркових станів від радуса КТ для сферичної гетеросистеми GaSb / AlSb з великою шириною забороненої зони та величиною спін-обертальної взаємодії та ймовірностей міжзонних переходів від величини розриву зон. Знайдено енергію екстона Ваньє - Мотта для КТ кубічної форми у моделі діелектричного континууму з урахуванням точного розв'язку рівняння Пуассона. З урахуванням сінченного розриву зон визначено залежність енергії зв'язку екстона, сили осцилятора переходу в екситонний стан і обмінної енергії екситона як функцію розмірів КТ та діелектричної проникності матриці. На підставі результатів проведеного дослідження запропоновано пояснення залежності зсуву Стокса у кристалі CdTe від величини КТ та діелектричної проникності матриці.

  Завантажити