На підставі проведених досліджень з використанням сучасних методів визначено реальну дефектну структуру приповерхневих шарів кремнію в системі Si - SiO₂. В результаті появи механічних напруг і деформацій у приповерхневій області кремнію утворюється складна структура, що складається з області сильно розупорядкованого кремнію та області, яка містить дислокаційні сітки. На межі області розупорядкованого кремнію та області дислокаційних сіток установлено стрибок величини механічних напруг, що виникає внаслідок прискореної дифузії кисню вздовж структурних дефектів у процесі окиснення, що призводить до стрибка щільності рівнів захоплення електронів. Визначено, що ширина приповерхневої області кремнію, що містить розупорядкований кремній і дислокаційні сітки, залежить від рівня локалізованих на межі поділу механічних напруг. На базі моделі приповерхневих шарів окисненого кремнію побудовано модель струмопереносу в інверсійному каналі польових метал - оксид - напівпровідник (МОН) приладів. Наведена модель передбачає врахування факту розсіювання носіїв заряду на дислокаційних бар'єрах, присутніх у каналі. Установлено, що глибокі рівні приповерхневого шару кремнію, утворені межами блоків розупорядкованого кремнію, впливають на баланс між радіаційною чутливістю та термопольовою стабільністю параметрів дозиметрів поглинальної дози іонізуючих випромінювань на базі польових МОН-транзистрів, що дозволяє покращити радіаційні та термопольові параметри дозиметрів на основі МОН-структур. У процесі термічного окиснення кремнію та шляхом хімічної обробки поверхні пластин одержано хімічно-наноструктурований кремній, що випромінює у видимій області спектра. Даний метод дозволяє одержувати фотолюмінесцентні структури в єдиному технологічному циклі за умов виробництва мікроелектронних приладів з діоксидною ізоляцією.

  Завантажити