Досліджено вплив хімічних і фізичних особливостей поверхні наноструктурованого кремнію на процеси десорбції / іонізації низькомолекулярних речовин за умов методу Desorption Ionization On Silicon (DIOS). Висвітлено механізми іоноутворення редос-активних та іоногенних речовин за умов різної доступності протоно- й електронодонорних центрів поверхні, яка визначається різним хімічним складом поверхневого шару іонізаційної підкладки. Встановлено, що хімія поверхні іонізаційної підкладки є визначальною у процесах іоноутворення шляхом відтворення / протонування чи прямої десорбції іонів, яка є лімітувальною стадією у разі дисоціативної іонізації. Показано, що іонообмінний характер зв'язування молекул дослідженої речовини з поверхнею модифікованого пористого кремнію впливає на пригнічення процесу фрагментації за умов DIOS експерименту. Зроблено припущення, що стимульовані лазерним випроміненням коливальні збудження концентруються на іонному зв'язку дослідженої речовини з функціональною групою пористого кремнію, в результаті цього відбувається пряма дисоціативна іонізація визначених речовин. Показано, що ефективна десорбція / іонізація досліджених речовин в DIOS відбувається за умови сукупного впливу термічно-стимульованої десорбції або реструктуризації поверхні та локальних електричних полів, які виникають поблизу нанорозмірної поверхні пористого кремнію.

  Завантажити