Бази даних


Автореферати дисертацій - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=2009020300163120090203001631<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
   
Юхимчук В.О. 
Оптичні та морфологічні властивості низьковимірних структур на основі кремнію, германію та їх твердих розчинів : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.О. Юхимчук ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2008. — 29 с. — укp.

Визначено механізми й особливості фізичних процесів, які визначають формування германій-кремнієвих наноструктур, досліджено взаємозв'язок морфологічних характеристик з їх структурними й оптичними властивостями. Узагальнено результати досліджень морфологічних, структурних та оптичних властивостей самоіндукованих наноострівців, сформованих у процесі молекулярно-променевої епітаксії, за умов варіювання різних технологічних параметрів. Встановлено, що у процесі самоіндукованого формування GeSi наноострівців на Si підкладках важливу роль відіграє інтердифузія, обумовлена неоднорідними напруженнями в самих острівцях і в областях підкладки, що їх оточують. Виявлено, що значне компонентне перемішування в острівцях впливає на величину механічних напружень, їх розміри та визначає критичний об'єм, за якого відбуваються переходи з пірамідальної форми росту до куполоподібної. Встановлено, що на остаточні властивості наноструктур з GeSi острівцями впливають параметри буферних шарів, на які епітаксіально осаджується германій, а також процеси покриття острівців кремієвим шаром, оскільки їх форма, компонентний склад і ступінь реалізації залежать від температури зарощування та товщини покривного шару. Продемонстровано можливість використання багатошарових структур з GeSi острівцями як детекторів випромінювання для ближньої інфрачервоної області. Показано, що для планарних SiGe шарів, сформованих на Si підкладках, легування вуглеців з рівномірним і нерівномірним профілем його розподілу дозволяє контролювати та впливати на процеси релаксації напружень у структурах.

  Завантажити


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 +
Шифр НБУВ: РА360010


Рубрики:
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського