Розроблено методи стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей і області застосування. Концепція цієї розробки заснована на одержанні напівпровідникових мікрокристалів арсеніду індію з заданим рівнем легування, за якого зміна концентрації вільних носіїв заряду під дією опромінення високоенергетичним електронами буде мінімальною. Шляхом математичного моделювання показано можливість легування мікрокристалів арсеніду індію домішками олова у широкому діапазоні концентрацій під час осадження їх з газової фази в хлоридній системі AnAs - Sn - HCl.

  Завантажити