Вивчено низку явищ, індукованих термічною та світловою діями на оптичні абсорбційні, люмінесцентні, фотоелектричні та електрофізичні властивості кристалів силіко- і германосиленітів, легованих іонами Al, Ga, Sn, перехідних металів груп Fe (Fe, Cu, Cr, Mn, V) та Pd (Mo, Ag), кристалів, які мають дефекти стехіометрії. Знайдено основні закономірності фото- та термохромного ефектів, термічної активації та гасіння фотопровідності, формування фото- та термоелектричних станів. Визначено параметри електрично й оптично активних дефектів. Ідентифіковано внески об'ємно-зарядової та квазідипольної поляризації. Виявлено процеси багатоцентрової рекомбінації. Одержані результати обговорено в межах концепції глибоких центрів з оцінкою електрон-фононної взаємодії під час електронних переходів і співвідношення енергій термічної та оптичної активації. Виконано моделювання процесів оптичного і термічного перезарядження глибоких центрів. Побудовано діаграми конфігураційних координат, які дозволили описати фотохромний ефект, домішкову фотопровідність та термостимульований струм. Відзначено, що кристали силенітів доцільно розглядати як широкозонні напівпровідники з сильною електрон-фононною взаємодією під час електронних переходів. Викладено окремі рекомендації для практичного застосування одержаних результатів у функціональній електроніці з метою розробки просторово-часових модуляторів світла, планарних мікрохвилеводів, запису голограм, електретних приладів.

  Завантажити