Розроблено схемні моделі надвисокочастотних (НВЧ) пристроїв для вітчизняної схемотехнічної САПР ALLTED. Визначено переваги, недоліки й умови використання схемних моделей мікрополоскових НВЧ. Запропоновано нові схемні моделі ідеальної та мікрополоскової ліній, які мають постійне значення амплітудно-частотної характеристики. На підставі досліджень топологій найбільш вживаних НВЧ пристроїв сформовано набір мікрополоскових неоднорідностей та виконано дослідження їх моделей для сучасних САПР. Розроблено формули розрахунку параметрів елементів мікрополоскових компонентів: "стрибка", асиметричного "стрибка", "обриву", "закоротки". Створено нові схемні моделі мікрополоскових компонентів: повороту, "оптимального" повороту, T-з'єднання, X-з'єднання, розгалуження з обривом, зв'язані лінії. Проведено дослідження та сформовано класифікацію моделей потужних польових транзисторів і гетеротранзисторів. На підставі порівняльного моделювання підтвержено, що створений набір моделей компонентів дає змогу моделювати роботу НВЧ пристроїв та переважає за похибкою моделі, які використовуються в пакеті схемотехнічного проектування HSPICE.

  Завантажити