| Кройтор О.П. Структурні характеристики багатошарової системи InxGa1 - xAs1 - yNy / GaAs за даними двокристальної x-променевої дифрактометрії : Автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук: 01.04.07 / О.П. Кройтор ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2003. — 20 с.: рис. — Бібліогр.: с. 16. — укp.Показано, що присутність азоту значно зменшує параметри невідповідності граток квантової ями та підкладки. На межах розподілу гетерошарів відбуваються процеси взаємодифузії, а саме, атоми In дифундують в бар'єрний шар, а атоми Ga - в квантові ями (КЯ). Доведено, що багатошарові структури з деформаційно-компенсаційними бар'єрними шарами GaAsN є більш досконалими. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 Шифр НБУВ: РА326460
Рубрики:
|