Показано, що досягнення оптимальних оптоелектричних властивостей для плівок ZnO:In та ZnO:Al, одержаних реактивним магнетронним розпиленням за постійним струмом, відбувається завдяки різним фізичних механізмам, що взаємопов'язано з різними атомарними радіусами алюмінію та індію. Установлено, що за високочастотного нереактивного магнетронного розпилення у разі збільшення робочого тиску спостерігається нетрадиційна зміна фізичних закономірностей впливу товщини плівок ZnO:Al на значення концентрації основних носіїв заряду. Уточнено й обгрунтовано фізичні механізми впливу на оптоелектричні властивості даних плівок концентрації легувальної фази у складі мішені за нереактивного магнетронного розпилення магнетрона у разі високочастотного розпилення.

  Завантажити