Системно досліджено надпровідні властивості гетеросистеми PbTe/PbS. Показано, що перехід у надпровідний стан відбувається тільки за наявності суцільних дислокаційних сіток на границях розподілу напівпровідникових шарів, а самі надпровідні шари локалізовані на цих границях. Здійснено пошук надпровідності у гетероструктурах: PbSe/EuS, PbS/PbSe, PbTe/PbSe, PbS/YbS, PbTe/YbS, YbS/YbSe, YbS/EuS. Відзначено, що наведені результати, а також дані досліджень критичних магнітних полів та вивчення структури міжфазних границь, дають змогу стверджувати, що надпровідність у подібних напівпровідникових системах обумовлена наявністю сіток дислокацій невідповідності. Уперше показано, що під впливом пружних деформацій, основним джерелом яких є дислокаційна сітка, у вузькощілинних напівпровідниках поблизу міжфазної границі можливе перекриття дна зони провідності та стелі валентної зони, що призводить до металізації цієї границі. Розраховано геометрію металізованих областей.

  Завантажити