Узагальнено теорію поздовжніх флуктуацій струму на випадок напівпровідників із анізотропним і непараболічним енергетичним спектром носіїв та непружними механізмами їх розсіювання за наявності зовнішніх гріючого електричного та неквантуючого магнітного полів. Оцінено вплив непараболічності закону дисперсії енергії носіїв на величину і характер залежностей спектральної щільності та коефіцієнта анізотропії флуктуацій струму від температури. Показано, що в області низьких частот магнітне поле зменшує інтенсивність флуктуацій, а зі збільшенням частоти призводить до виникнення резонансних явищ, подібних до резонансу в коливній системі за наявності сил тертя. Встановлено, що електричне поле збільшує величину спектральної щільності флуктуацій струму і спричинює зміну її спектральної залежності за рахунок перерозподілу механізмів релаксаційних процесів. Уперше з єдиних позицій виявлено головні закономірності сумісної дії зовнішніх факторів (температури, напруженості електричного та індукції магнітного полів) на частотні залежності спектральної щільності та коефіцієнта анізотропії флуктуацій струму в напівпровіднику з параметрами p-телуру.

  Завантажити