Обгрунтовано шляхи вирішення проблеми одержання телуру високої чистоти зі зниженим і контрольованим вмістом кисню для електронного застосування. Встановлено, що у промисловій технології очистки телуру, яка включає дистиляційну та зонну стадії, основним джерелом надходження кисню є діоксид телуру у початковому телурі технічної чистоти. Відзначено, що вирощені з розчинів у розплаві телуру епітаксіальні структури CdHgTe характеризуються високими значеннями електрофізичних параметрів та відрізняються низькою щільністю поверхневих дефектів росту.

  Завантажити