Виявлено, що у разі збільшення кількості періодів структури ступінь латерального впорядкування та однорідності квантових точок покращується, що супроводжується збільшенням ступеня поляризації їх випромінювання. Встановлено, що у випадку InSb-подібного інтерфейсу структури InAs/AlSb має місце зменшення концентрації та збільшення рухливості 2D електронів в InAs квантовій ямі. Вперше виявлено помітні зміни концентрації 2D електронів та їх взаємодії з LO-фононами InAs залежно від енергії кванта збудження за низької температури.

  Завантажити