Обгрунтовано режими опромінення, які забезпечують реалізацію контрольних фізико-хімічних процесів у приконтактних шарах металу та напівпровідника у твердій фазі. З'ясовано роль домішок (Cl, As) у стабілізації параметрів бар'єрних структур за дії ІЛО на контакти метал - легований CdTe. Виявлено особливості даних процесів у структурах на основі твердих розчинів CdZnTe. Визначено оптимальні режими ІЛО, які дозволяють сформувати бар'єрні структури Pt - p - CdTe:Cl з наближеними до ідеальних характеристиками. Досліджено механізми протікання струму у таких структурах. Показано, що за певних режимів ІЛО структур Al(Au) - PbSnTe в результаті активізації дифузійних процесів на межі розділу контакту метал - халькогенідний напівпровідник виділяється наближена за складом до PbTe фаза, що призводить до формування поверхнево неоднорідних контактів з ділянками приконтактного шару напівпровідника, які мають різні значення ширини забороненої зони.

  Завантажити