Показано, що у разі переходу від високих температур до низькотемпературної області деформації змінюється фізичний механізм руху дислокацій від ковзання до механізму переповзання, який реалізується у приповерхневих шарах кристалів. Досліджено можливості й особливості ідентифікації дислокацій, створених внаслідок низькотемпературної деформації у приповерхневих шарах Ge і Si з використанням різних структурних методів, а саме: оптичної й електронної мікроскопії, рентгенівської топографії. Проаналізовано гетерогенний механізм зародження призматичних дислокаційних петель на міжфазовій поверхні включення з матрицею. Одержано нові експериментальні результати впливу дефектів, спричинених низькотемпературною мікропластичною деформацією, на електричні властивості Ge (провідність, тривалість життя нерівноважних носіїв заряду) та Si p - n переходів. Проведено теоретичні й експериментальні дослідження дії імпульсного лазерного опромінення на утворення дефектів у приповерхневих шарах Ge. Розроблено нову модель створення упорядкованої структури дислокацій, згідно з якою довгі дислокації періодичної структури виникають з сукупності міжвузловинних призматичних петель, зорієнтованих полями деформації та концентрації вакансій.

  Завантажити