Досліджено особливості створення КНІ-структур (кремній на ізоляторі) з прогнозованими характеристиками шарів полікремнію та впливу лазерної рекристалізації на їх властивості. Наведено результати досліджень електрофізичних та п'єзорезистивних властивостей полікремнійових шарів у КНІ-структурах у широкому інтервалі температур, у тому числі кріогенному. Визначено механізми перенесення носіїв заряду в рекристалізованих шарах полікремнію для різних інтервалів температур і ступенів легування вихідного матеріалу. Показано вплив магнітного поля на електропровідність шарів полікремнію в КНІ-структурах. Наведено рекомендації щодо використання полікремнійових шарів, рекристалізованих лазерним випромінюванням, у мікроелектронних сенсорах для різних інтервалів температур. Розроблено технологію виготовлення мікроелектронних сенсорів тиску та тиску-температури. Встановлено особливості процесу формування мембран чутливих елементів сенсорів з використанням оригінальної методики анізотропного травлення. Розроблено мікроелектронні п'єзорезистивні сенсори тиску на основі КНІ-структур для аеродинамічних досліджень, медико-біологічного призначення, сенсори зусилля та ємнісні сенсори тиску, а також багатофункціональні сенсори для одночасного вимірювання тиску і температури на основі КНІ-структур, досліджено їх характеристики та параметри.

  Завантажити