Досліджено вплив домішок та умов відпалу на електричні властивості та конверсію типу провідності бездомішкових і легованих ауром, індієм, талієм, германієм і хлором кристалів кадмій телуриду. Розроблено моделі квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів у легованому матеріалі. На базі використання інтегральних, парціальних і відносних коефіцієнтів компенсації встановлено домінуючі точкові дефекти. Доведено можливість прогнозування на основі розроблених моделей дефектоутворення електричних властивостей матеріалу за умов високотемпературної рівноваги дефектів, а також визначення концентрації спектра дефектів та холлівської концентрації носіїв заряду у кристалах, відпалених за високих температур і охолоджених до кімнатної.

  Завантажити