Продемонстровано новий принцип використання Si як випромінювача в інфрачервоному (ІЧ) діапазоні спектра, який базується на ефекті модуляції потужності теплового випромінювання напівпровідника у спектральному діапазоні внутрішньозонних електронних переходів за умов збудження зони напівпровідника. Експериментально показано, що температурна залежність потужності збудженого світлом ІЧ випромінювання криталів Si має вигляд кривої з максимумом. Положення максимуму залежить від концентрації та типу домішок, товщини зразків і довжини хвилі ІЧ випромінювання. Немонотонність пояснено зростанням коефіцієнта поглинання ІЧ випромінювання рівноважними носіями за умов збільшення температури. Експериментально показано, що у разі збудження світлом з області фундаментального поглинання потужність теплового ІЧ випромінювання кристала Si у спектральних інтервалах 3 - 5 і 8 - 12 мкм зростає майже до потужності абсолютно чорного тіла у цих інтервалах за наявності на поверхні Si одношарового просвітлювального покриття за незмінної температури кристала. Доведено можливість налаштування спектра збуджувального світлом теплового ІЧ випромінювання Si переважно на один з діапазонів - 3 - 5 або 8 - 12 мкм за рахунок використання спектрально-селективних покриттів.зменшення поверхневої рекомбінації у монокристалічному кремнію шляхом пасивації його поверхні за імпульсного лазерного осадження плівок з кремнієвими квантовими точками.

  Завантажити