Розроблено науково-обгрунтовані методи для контролю деформацій, механічних напруг структурної досконалості і створення на їх підставі принципів конструювання вимірювального і ростового обладнання, за допомогою якого безруйнівним методом експресно контролюються на всіх стадіях напівпровідникового виробництва геометричні параметри і внутрішня напруга напівпровідникових пластин і структур, а також створено апаратуру для контролю структурної досконалості напівпровідникових кристалів у процесі вирощування. Запропоновано методики і конструкції плоских інфрачервоних полярископів "Міраж-1" та "Міраж-2". Досліджено технологічні процеси високотемпературної обробки. Висвітлено методику контролю щільності дислокацій під час дослідження жорсткості кремнієвих структур виявлено нове явище: зміну форми (згибу) кремнієвих структур після прикладення імпульса навантаження з високою швидкістю.

  Завантажити