Завдяки використанню багатошарових плівок халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів у широких межах (0,5 - 13 %) розширено коло надграткових матеріалів та уможливлено створення одно-, дво- та тривимірних надграткових наноструктур, що призвело до відкриття нових ефектів. Для двовимірних (дислокаційних) надграток виявлено надпровідність, яка взаємопов'язана з присутністю періодичних сіток дислокацій невідповідності на міжфазних межах (відсутність дислокацій призводить до відсутності надпровідності). Для тривимірних надграток PbSe - PbS знайдено спектри люмінесценції з квантових точок, створених модуляцією структури періодичними дислокаціями у площині композиції та модуляцією складу в ортогональному напрямку. Для одновимірних (композиційних) надграток знайдено резонансне тунелювання електронів через феромагнітні бар'єри EuS, а також антиферомагнітне впорядкування магнітних шарів, зумовлене їх взаємодією через діамагнітні прошарки PbS та YbSe. Таке впорядкування спостережено для великого діапазону товщини прошарків вузькозонного напівпровідника PbS (від 0,4 до 40 нм) та широкозонного YbSe (від 1 до 3 нм).

  Завантажити