Проаналізовано походження піків уявної частини діелектричної проникності бінарних сполук GaN, AlN та InN. Враховуючи біаксіальні деформації пояснено появу нових особливостей в оптичних спектрах тонких плівок, що спостерігались в експерименті. Проведено порівняння різних підходів до визначення іонності та досліджено перебудову хімічного зв'язку у даних твердих розчинах зі зміною складу, використовуючи підхід повної валентної густини заряду. Наведено результати розрахунку поперечного ефективного заряду.

  Завантажити