Досліджено динаміку заселеностей енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання та низькочастотного збурення, яке змінює положення енергетичних рівнів за гармонічним законом з різною амплітудою модуляції. У адіабатичному наближенні з нестаціонарного рівняння Шредінгера отримано аналітичні вирази для динаміки заселеностей рівнів дво- та трирівневих квантових систем. Досліджено спектральний розподіл низькочастотного відгуку заселеностей рівнів на частотах, рівних або кратних частоті модулюючого низькочастотного збурення. За допомогою кінетичних рівнянь проаналізовано вплив часу життя рівнів і механізму релаксації на динаміку заселеності рівнів. Показано, що отриманий аналітичний вираз для амплітудної обвідної динаміки заселеності рівнів можна використовувати для розрахунку модуляційних (диференційних) спектрів поглинання. Розраховано та проаналізовано особливості модуляційних спектрів у ході реалізації переходів рівень - зона, зона - зона та біля критичних точок. Запропонований спосіб розрахунку модуляційних спектрів використано для розрахунку спектрів п'єзофотопровідності субселеніду індію.

  Завантажити