Вивчено процеси перебудови дефектної структури приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. Установлено явище емісії електронів з базисних граней кристалів CdS без попереднього збудження поверхні за умов їх охолодження від кімнатної температури до температури залежності поверхневої провідності. Інтенсивність потоку електронної емісії з Cd-грані сульфіду кадмію залежить від провідності монокристалів та дії зовнішніх факторів: попереднього вакуумного термічного відпалу, електричного поля, рентгенівського опромінення. Запропоновано механізм перебудови структурних дефектів приповерхневого шару грані (0001) CdS під час охолодження, суть якого полягає у термостильованій (охолодженням) зміні конфігурації принаймні двох структурних дефектів з метастабільних у стабільні положення з вивільнення певної кількості додаткових вільних електронів, які під дією пірополя емітують у вакуум. Установлено межові дози опромінення, які дозволяють покращити та стабілізувати параметри приладів на базі бар'єрів Шотткі метал - CdS, зокрема, 0,2 Кл/кг для низько- та 0,4 Кл/кг для високоомних кристалів.

  Завантажити