| Міщенко Л.А. Вплив домішки ванадію на дефектоутворення в телуриді кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Л.А. Міщенко ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1998. — 16 с. — укp.Дисертацію присвячено вивченню дефектів ванадію у телуриді кадмію. Визначена конфігурація, енергія іонізації дефектів ванадію та їх вплив на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe. Досліджено концентраційний вплив ванадію у розплаві на властивості CdTe. Встановлено існування критичної концентрації ванадію у розплаві CdTe, при якій починається утворення комплексних дефектів з участю ванадію. Досліджено вплив різних обробок, таких як термічна та ультразвукова, на електричні та фотоелектричні властивості кристалів CdTe:V. Показано, що значний вклад у формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів після ультразвукової обробки вносить тонкий приповерхневий шар, збагачений електронами. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022
Рубрики:
|